| 发明名称 | 一种生长二氧化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术中二氧化硅薄膜生长技术领域，公开了一种生长二氧化硅薄膜的方法，包括：A.配制二氧化硅饱和溶液；B.在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；C.在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝，搅拌得到饱和生长溶液；D.将半导体衬底垂直浸入到所述饱和生长溶液中，二氧化硅在半导体衬底表面沉积，形成二氧化硅薄膜。利用本发明，二氧化硅薄膜的生长温度低，生长过程中不需要热处理，操作容易，设备简单，同时对环境影响较小，重复性好，可靠性高，成本极低，易于产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN101211780A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610171664.X | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓东;季安;邢波;杨富华 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种生长二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：A、配制二氧化硅饱和溶液；B、在配制的二氧化硅饱和溶液中加入去离子水或蒸馏水，搅拌得到二氧化硅的过饱和溶液；C、在二氧化硅的过饱和溶液中加入硼酸或铝，搅拌得到饱和生长溶液；D、将半导体衬底垂直浸入到所述饱和生长溶液中，二氧化硅在半导体衬底表面沉积，形成二氧化硅薄膜。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||