制造槽栅型MOSFET器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法。根据一个实施例，可以在半导体衬底中形成沟槽。可以在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层。可以在包括栅极氧化物层的半导体衬底上形成第一绝缘层。可以在沟槽中形成多晶硅。可以通过将第一绝缘层蚀刻至预定厚度，来从第一绝缘层形成第二绝缘层，以使第二绝缘层薄于第一绝缘层。可以在多晶硅和第二绝缘层上形成第三绝缘层。可以蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物。然后，可以利用隔离物作为蚀刻掩膜移除第二绝缘层。

主权项

1.一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成沟槽；在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层；在露出沟槽的半导体衬底上形成第一绝缘层；在沟槽中形成多晶硅；移除第一绝缘层的一部分，从而形成厚度比第一绝缘层薄的第二绝缘层；在第二绝缘层和多晶硅上形成第三绝缘层；蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物；以及移除该第二绝缘层。