| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法和半导体制造用掩模、光接近处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种包括逻辑电路的半导体装置，本发明的目的在于缩短处理时间，降低制造成本。进而，为了实现上述目的，逻辑电路的形成区域(114)包括：以规定精度被光接近修正处理的第1区域(114b，170)；以及，以低于规定精度的精度被光接近修正处理的第2区域(114a，180)。特别是，第1区域(114b，170)具有作为晶体管而动作的栅极布线(172)，第2区域(114a，180)具有不作为晶体管而动作的虚拟布图(182)。 | ||
| 申请公布号 | CN101213489A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200680014103.7 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 田冈弘展;小野祐作 |
| 分类号 | G03F1/08(2006.01);G06F17/50(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | G03F1/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种包括逻辑电路的半导体装置，其中，上述逻辑电路的形成区域(114)包括：按照规定精度，被光接近修正处理的第1区域(114b，170)；以及按照低于上述规定精度的精度，被光接近修正处理的第2区域(114a，180)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||