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发明名称 Double gate 1-transistor DRAM cell using bulk silicon and DRAM device having the same and method of manufacturing thereof
摘要
申请公布号 KR100842905(B1) 申请公布日期 2008.07.02
申请号 KR20060068749 申请日期 2006.07.21
申请人 发明人
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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