| 发明名称 | 闪存器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了涉及闪存器件和制造闪存器件的方法的实施例。根据实施例，方法包括在半导体衬底上形成器件隔离层以限定有源区，在有源区上形成浮置栅极图形，在器件隔离层上形成光刻胶图形以使光刻胶图形具有高于浮置栅极图形的侧壁，在光刻胶图形侧壁处形成间隙壁图形以使间隙壁图形部分覆盖浮置栅极图形，和使用间隙壁图形作为蚀刻掩模以预定深度蚀刻浮置栅极图形。 | ||
| 申请公布号 | CN101211858A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710194894.2 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑泰雄 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成器件隔离层以限定有源区；在半导体衬底有源区上方形成浮置栅极图形；在器件隔离层上方形成光刻胶图形以使光刻胶图形具有高于浮置栅极图形的侧壁；在光刻胶图形侧壁上形成间隙壁图形以使间隙壁图形部分覆盖浮置栅极图形；以及使用间隙壁图形作为蚀刻掩模以预定深度蚀刻浮置栅极图形。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||