| 发明名称 | 结构化硅阳极 | ||
| 摘要 | 一种硅/锂电池，其可以从硅衬底形成，所述电池允许在芯片上将其形成为集成单元，所述电池包括硅阳极，所述阳极从在n型硅晶片上形成的亚微米直径的硅柱制得。 | ||
| 申请公布号 | CN100399606C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200380102807.6 | 申请日期 | 2003.11.05 |
| 申请人 | 帝国学院创新有限公司 | 发明人 | M·格林 |
| 分类号 | H01M4/38(2006.01);H01M4/66(2006.01);H01M10/40(2006.01);H01M4/04(2006.01) | 主分类号 | H01M4/38(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种用于电池的集成硅电极，所述电极包括在硅衬底上形成的亚微米硅柱的阵列。 | ||
| 地址 | 英国伦敦 | ||