以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法

摘要

一种以两阶段蚀刻在半导体基材上形成熔丝窗的方法。提供一半导体基材，具有一熔丝线，形成在一介电层堆叠结构中，包括有一目标层，中间介电材料层以及保护层。先于保护层上形成光致抗蚀剂层，具有一开口，位于熔丝线正上方。接着进行第一干蚀刻工艺，经由该开口非选择性的蚀刻保护层及中间介电材料层，暴露出目标层。进行第一厚度量测步骤，量测目标层的厚度。进行第二干蚀刻工艺，根据在第一厚度量测步骤所量测到的目标层厚度决定出蚀刻时间，继续蚀刻掉一部分的目标层厚度，形成该熔丝窗。

主权项

1.一种以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法，包括：提供半导体基材，其上具有熔丝线，形成在介电层堆叠结构中，该介电层堆叠结构包括有目标层，覆盖在该熔丝线上，至少一中间介电材料层，覆盖在该目标层上，以及保护层覆盖在该中间介电材料层上，该保护层上形成具有开口的光致抗蚀剂层，该开口位于该熔丝线的正上方，并定义出该熔丝窗的形状；进行第一干蚀刻工艺，经由该开口以非选择性的方式蚀刻该保护层以及该中间介电材料层，暴露出该目标层；进行第一厚度量测步骤，量测在完成该第一干蚀刻工艺之后的该目标层的厚度；进行第二干蚀刻工艺，根据在该第一厚度量测步骤所量测到的该目标层的厚度决定出蚀刻时间，继续蚀刻掉一部分的该目标层厚度，以达到预定的厚度，完成该熔丝窗；以及进行第二厚度量测步骤，量测在完成该第二干蚀刻工艺之后的该目标层的剩余厚度。