发明名称 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
摘要 本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5×10<SUP>-3</SUP>Pa,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15~45sccm、硅烷和氨气流量比1/2~1/4、沉积温度300~500℃、射频功率90~150W的条件下,沉积10~30min停止,在活塞环的上表面和侧面得到氮化硅膜层;自然冷却后取出。所得氮化硅膜层活塞环的表面硬度可达900-1400HV,明显高于普通镀铬产品800HV的硬度。膜层良好的耐蚀耐磨性能和自润滑特性,可有效提高活塞环的使用性能,改善工作稳定性,延长寿命。该方法克服了传统镀铬活塞环能耗大、污染严重、工艺复杂等弊端。
申请公布号 CN101210318A 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200710164825.7 申请日期 2007.12.25
申请人 浙江理工大学 发明人 杜平凡;席珍强;王龙成;徐敏;汪新颜;姚剑
分类号 C23C16/517(2006.01);C23C16/02(2006.01);F02F5/00(2006.01);F16J9/26(2006.01) 主分类号 C23C16/517(2006.01)
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 林怀禹
主权项 1.一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法,其特征在于:沉积前,对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;前处理完成后,再将活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备的沉积室中,系统抽真空至5×10-3Pa,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15~45sccm、硅烷和氨气流量比1∶2~1∶4、沉积温度300~500℃、射频功率90~150W的条件下,沉积10~30min停止,在活塞环的上表面和侧面均匀沉积一层氮化硅膜层;自然冷却后取出。
地址 310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号