非易失性存储装置以及对其中的多级单元进行编程的方法

摘要

本发明的非易失性存储装置包括页面缓冲器，该页面缓冲器具有位线选择电路，第一寄存器，第二寄存器，数据比较电路，第一位线电压控制器以及第二位线电压控制器。位线选择电路选择性耦接某一位线至感测节点。第一寄存器与第二寄存器储存给定的数据。数据比较电路比较储存于第一寄存器中的数据与储存于第二寄存器中的数据，并传送比较结果至感测节点。第一位线电压控制器依据储存于第一寄存器中的数据的电压电平，施加低电平的电压至位线。第二位线电压控制器依据储存于第二寄存器中的数据，施加高电平的选择的第一电压至位线。

主权项

1.一种非易失性存储装置，包括：存储单元阵列，用于储存数据；页面缓冲器，经由至少第一与第二位线而耦接至所述存储单元阵列；其中所述页面缓冲器包括：位线选择电路，配置成选择性耦接所述第一或第二位线至感测节点；第一寄存器与第二寄存器，配置成储存给定的数据；数据比较电路，配置成比较储存于所述第一寄存器中的数据与储存于所述第二寄存器中的数据，并传送比较结果至所述感测节点；第一位线电压控制器，配置成依据储存于所述第一寄存器中的数据的电压电平施加第一电压至所选择的位线；以及第二位线电压控制器，配置成依据储存于所述第二寄存器中的数据施加高于所述第一电压的第二电压至所选择的位线。