| 发明名称 | 适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法 | ||
| 摘要 | 一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，首先确定重注入层的边界，得到区域A，然后确定栅极与有源区交迭的金属氧化物半导体管的沟道区域，并将该区域每边涨大a，得到区域B，取其合集，得到区域C，最后在区域C内，进行离子植入，生成LDD。本发明提供的一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，每次代码变更时，仅需改变ACT，LDD层无需变更，同时保持了较小的版图面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101211855A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710172731.4 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 何军 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/112(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、确定重注入层的边界，得到区域A；步骤2、确定栅极与有源区交迭的金属氧化物半导体管的沟道区域；步骤3、将步骤2确定的区域每边涨大a，得到区域B，其中a可以根据具体的制程能力进行调整；步骤4、将步骤1和步骤3分别得到的两个区域A和B，取其合集，得到区域C；步骤5、在步骤4确定的区域C内，进行离子植入，生成浅掺杂漏极LDD。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||