| 发明名称 | 有机半导体器件及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种复杂的有源矩阵型有机半导体器件。在绝缘表面上形成第一电极102。借助第一绝缘膜103在第一电极102上形成第二绝缘膜104。在第二绝缘膜104上形成的开口部分和第二绝缘膜104上形成有机半导体膜。通过抛光有机半导体膜直到暴露出第二绝缘膜104来获得有机半导体膜105。此外，通过在有机半导体膜105上形成第二电极106和第三电极107，可获得本发明的一种有机半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100399601C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN02122216.9 | 申请日期 | 2002.05.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 荒井康行;柴田典子 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L51/50(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种使用有机薄膜晶体管的有机半导体器件，包含：在绝缘表面上形成的第一电极，在第一电极上形成的第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，在第一电极上的位置处有一开口部分，在开口部分中形成的有机半导体膜，以及在有机半导体膜和第二绝缘膜上形成的第二电极和第三电极，其中有机半导体膜的上表面和第二绝缘膜的上表面形成同一表面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||