发明名称 不合格的制造装置、晶片的检测方法和检测装置
摘要 本发明涉及根据在每一个晶片上产生的不合格分布,检测在半导体集成电路的制造工序中使用的异常制造装置的不合格检测方法和不合格检测装置。
申请公布号 CN100399527C 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200410047964.8 申请日期 2004.06.09
申请人 株式会社东芝 发明人 松下宏;门多健一
分类号 H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 陈海红;段承恩
主权项 1.一种不合格的制造装置的检测方法,其能利用处理履历信息和测试信息检测出该不合格的制造装置,其中,该处理履历信息可以以批的批ID为抽出条件抽出上述批内的晶片的晶片ID,可以以上述批的批ID为抽出条件抽出上述批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造装置,该测试信息可以以上述晶片的晶片ID和测试名称为抽出条件,抽出每一次测试中在晶片内发生的缺陷的位置信息,该方法包括:在上述晶片上设定预定的区域划分;输入对象批的上述批ID;从上述批ID和上述处理履历信息中,抽出上述对象批内的对象晶片的上述晶片ID;从上述晶片ID和上述测试信息中抽出测试中的在上述对象晶片内的上述缺陷的上述位置信息;对每一个上述对象晶片,计算根据上述区域划分使上述缺陷在晶片面内的分布的偏向定量化的第1晶片特征量;根据对每一个上述对象晶片计算出来的上述第1晶片特征量,计算每一个上述对象批的第1批特征量;由上述处理履历信息,以上述对象批的上述批ID为抽出条件,抽出上述对象批的制造工序和在上述制造工序中使用的制造装置;对每一个上述第1批特征量,进行每一个上述制造工序的上述制造装置间的有效差异测定;和把具有有效差异的上述制造装置检测为第1异常装置。
地址 日本东京都