发明名称 |
多层基板间交互连结的结构及其制造方法 |
摘要 |
一种多层基板间交互连结的结构及其制造方法。该结构包括第一多层基板与第二多层基板。第一多层基板具有第一金属层、第一介电层以及介层洞,其中一第一金属层的端缘与其对应的第一介电层的端缘相连接,与其它相邻第一金属层和第一介电层的端缘则相对分离。第二多层基板具有第二金属层与第二介电层,一第二金属层的端缘与其对应的第二介电层的端缘相连接,与其它相邻第二金属层和第二介电层的端缘则相对分离。介层洞位于第一多层基板的第一介电层的端缘,介层洞内具有一导电部。第一金属层的导电部与第二多层基板的第二金属层相互黏结。 |
申请公布号 |
CN101212864A |
申请公布日期 |
2008.07.02 |
申请号 |
CN200610063662.9 |
申请日期 |
2006.12.29 |
申请人 |
巨擘科技股份有限公司 |
发明人 |
杨之光 |
分类号 |
H05K1/14(2006.01);H05K3/36(2006.01);H01R12/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H05K1/14(2006.01) |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
1.一种多层基板间交互连结的结构包括一第一多层基板以及一第二多层基板,该第一多层基板具有若干个相互交叠的第一金属层与若干个第一介电层,该第二多层基板具有若干个相互交叠的第二金属层与若干个第二介电层,其特征在于:该第一多层基板进一步具有若干个介层洞,其中至少一第一金属层的端缘与其对应的第一介电层的端缘相连接,而与其它相邻第一金属层和第一介电层的端缘相对分离;该第二多层基板的至少一第二金属层的端缘与其对应的第二介电层的端缘相连接,而与其它相邻第二金属层和第二介电层的端缘相对分离;该第一多层基板的介层洞位于第一介电层的端缘,并且每一介层洞内具有一导电部;通过该第一多层基板的至少一第一金属层的该导电部与该第二多层基板的至少一第二金属层相互黏结以形成一连结部。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市研新四路6号 |