| 发明名称 | 高压器件的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 一种执行高压器件的离子注入方法。该方法包括：在半导体衬底中限定逻辑区域和高压区域；在半导体衬底上在逻辑区域中形成第一栅绝缘层以及在半导体衬底上在高压区域中形成第二栅绝缘层；第二栅绝缘层厚于第一栅绝缘层；通过将第一导电杂质注入到半导体衬底的逻辑区域和源极区域中，在逻辑区域中形成空心区域并在高压区域中形成源极区域；以及通过将第二导电杂质注入到半导体衬底中而在逻辑区域中形成第二导电杂质层。 | ||
| 申请公布号 | CN101211847A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710194883.4 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 张德基 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种用于形成高压器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底中限定逻辑区域和高压区域；在所述半导体衬底上的所述逻辑区域中形成第一栅绝缘层，并在所述半导体衬底上的所述高压区域中形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层厚于所述第一栅绝缘层；通过将第一导电杂质注入所述半导体衬底的所述逻辑区域和源极区域中而在所述逻辑区域形成空心区域以及在所述高压区域中形成源极区域；以及通过将第二导电杂质注入所述半导体衬底的所述逻辑区域中，在所述逻辑区域中形成第二导电杂质层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||