发明名称 集成电路结构及其形成方法
摘要 所公开的是形成集成电路结构的方法,该方法在器件上形成焊料连接器,将可压缩薄膜围绕所述焊料连接器的侧面,将所述器件连接到载体上(其中所述焊料连接器将所述器件电连接到所述载体上),并用绝缘材料填充所述载体和所述器件之间的间隙。
申请公布号 CN100399560C 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200510068432.7 申请日期 2005.04.29
申请人 国际商业机器公司 发明人 威廉·E·伯尼尔;郑天人;玛丽·S·科尔;戴维·E·艾什塔德;姆科塔·G·法卢克;约翰·A·菲茨西蒙斯;路易斯·S·古德曼;约翰·U·克尼克尔伯克;塔沙·E·洛佩斯;戴维·J·威尔士
分类号 H01L23/50(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/28(2006.01);H01L23/16(2006.01);H01L21/50(2006.01) 主分类号 H01L23/50(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种集成电路结构,包括:载体;连接到所述载体上的器件;将所述器件与所述载体电连接的焊料连接器;围绕所述焊料连接器的侧面的可压缩薄膜;填充所述载体和所述器件之间间隙的绝缘材料。
地址 美国纽约