发明名称 电解电容器低阻抗阳极铝箔腐蚀方法及其化学处理处理液
摘要 一种电解电容器低阻抗阳极铝箔腐蚀方法及其化学处理处理液,该方法按下述步骤进行:第一步骤一次电蚀、第二步骤化学处理、第三步骤二次电蚀;该化学处理处理液的配方为:盐酸4.0N至5.0N;硫酸0.15N至0.4N,磷酸0.05N至0.15N,硝酸:0.01N至0.05N,氯化铝1.0N至2.0N。本发明是在洁净铝箔表面形成均匀分布、间距较大的蚀孔且耐平削腐蚀的钝化膜,然后进行扩孔处理,由此获得的腐蚀箔阻抗明显降低,尤其是对50~100V的电极箔效果显著。用此方法在一定程度上控制了蚀孔的大小、分布和间距,改善了腐蚀形貌,增大了蚀孔间距和分布均匀性,从而降低了阳极箔阻抗。本发明适用于25V~100V低压铝电极箔的腐蚀可以大幅度降低阳极箔的阻抗,可制备低阻抗电解电容器阳极铝箔。
申请公布号 CN101211696A 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200610201482.2 申请日期 2006.12.30
申请人 新疆众和股份有限公司 发明人 王兰东
分类号 H01G9/055(2006.01);H01G13/00(2006.01);C25D3/02(2006.01);C25D3/44(2006.01);C25F3/04(2006.01);C25F1/00(2006.01) 主分类号 H01G9/055(2006.01)
代理机构 乌鲁木齐合纵专利商标事务所 代理人 汤建武
主权项 1.一种电解电容器低阻抗阳极铝箔腐蚀方法,其特征在于按下述步骤进行:第一步骤一次电蚀:将已经除油清洗处理的铝箔浸在酸和铝盐的电解液中,加一定的电场,进行电化学腐蚀,在铝箔表面形成一层钝化膜,其中:电解液配方:盐酸3.0N至4.0N;硫酸0.05N至0.3N,磷酸0.02N至0.15N,氯化铝1.0N至2.0N;条件:交流电流:0.2安/平方厘米至1.0安/平方厘米;温度:35℃至50℃;处理时间:10s至1min;第二步骤化学处理:在钝化膜上形成均匀点蚀孔群,其中:处理液配方:盐酸4.0N至5.0N;硫酸0.15N至0.4N,磷酸0.05N至0.15N,硝酸:0.01N至0.05N,氯化铝1.0N至2.0N;条件:温度:50℃至70℃;处理时间:2min至8min;第三步骤二次电蚀:在电解液中将形成点蚀孔的铝箔加交流电进行腐蚀扩面,进一步发孔并扩大孔洞,增大箔的有效表面积,得到所需要的电解电容器低阻抗阳极铝箔,其中,电解液配方:盐酸4.0N至6.0N;硫酸0.05N至0.5N次蚀剂;磷酸0.05N至0.25N;硝酸0.01N至0.05N;氯化铝1.0N至2.0N;草酸10g/L至30g/L;氯化铜0至5ppm;氯化铁5ppm至40ppm;硫脲0.15g/L至3.0g/L;条件:交流电流:0.5安/平方厘米至10安/平方厘米;时间:10min至25min;温度:30℃至45℃。
地址 830013新疆乌鲁木齐市喀什东路18号