| 发明名称 | 半导体装置和制造该半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 示例实施例涉及一种包括鳍型沟道区的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括半导体基底、半导体柱和接触塞。半导体基底包括用作有源区的至少一对鳍。半导体柱可以置于鳍的部分之间以连接鳍。接触塞可以设置(或形成)在半导体柱上，并且电连接鳍的顶表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101211913A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710301183.0 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋承桓;金锡必;朴允童;金元柱;具俊谟;赵庆来;玄在雄;边成宰 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;邱玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体基底，包括作为有源区的至少一对鳍；半导体柱，在所述至少一对鳍的部分之间，其中，所述半导体柱连接所述至少一对鳍；接触塞，在所述半导体柱上，并且电连接所述至少一对鳍的顶表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||