| 发明名称 | 利用金属氧化物纳米粒子制备电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备薄膜晶体管的方法，其包括：(a)将包括半导体金属氧化物纳米粒子的分散体溶液沉积在衬底上，(b)烧结所述纳米粒子以形成半导体层，和(c)任选使得到的半导体层经沉积后处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101213671A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200680023413.5 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 蒂莫西·D·邓巴 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 郭国清;樊卫民 |
| 主权项 | 1.制备薄膜晶体管的方法，其包括：(a)将包括半导体金属氧化物纳米粒子的分散体溶液沉积在衬底上，(b)烧结所述纳米粒子以形成半导体层，和(c)任选使得到的半导体层经沉积后处理。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||