半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在半导体衬底中的第一导电阱区和所述第一导电阱区上或其中的第二导电阱区。栅电极在所述第一沟槽中的栅极绝缘层上，所述沟槽在所述第二导电区域和所述第一导电阱区中。漏极包括漏极绝缘层、(多晶硅)屏蔽层、和漏极塞。漏极绝缘层在第二导电区域和第一导电阱区中的沟槽中。屏蔽层包围漏极塞。漏极塞的下部接触第二导电阱区。第一导电源极区在所述栅电极的侧面。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底中的第一导电阱区；所述第一导电阱区上的第二导电阱区；在第一沟槽中的栅极绝缘层上的所述第一沟槽中的栅电极，所述第一沟槽在所述第二导电区域和至少部分所述第一导电阱区中；包括导电屏蔽层、漏极绝缘层、和漏极塞的漏极，所述漏极绝缘层在所述第二导电区域和至少部分所述第一导电阱区中的第二沟槽中，所述导电屏蔽层包围所述漏极塞，所述漏极塞与所述第二导电阱区接触；和在所述栅电极的侧面的第一导电源极区。