发明名称 CMOS图像传感器
摘要 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器。详细地,CMOS图像传感器可具有改进的灵敏度。该CMOS图像传感器包括在半导体衬底上的光电二极管,包括连接到光电二极管的栅极、第一接地电极以及连接到电流检测器的第二电极的驱动晶体管,连接在光电二极管和栅极之间以将光电二极管中生成的电压或电荷施加到栅极的转移晶体管,在第二电极和电流检测器之间的可选的选择晶体管,以及连接到电力线的、被配置成复位光电二极管的可选的复位晶体管。因此,该CMOS图像传感器可无实质性衰减地读取光电检测器的输出。
申请公布号 CN101212580A 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200710161098.9 申请日期 2007.12.26
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 张炳琸
分类号 H04N5/335(2006.01);H01L27/146(2006.01) 主分类号 H04N5/335(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 朱胜;潘士霖
主权项 1.一种CMOS图像传感器,包括:在半导体衬底上的光电二极管;驱动晶体管,包括连接到所述光电二极管的输出的栅极,第一接地电极,以及连接到电流检测器的第二电极;以及在所述光电二极管和所述栅极之间的转移晶体管,将在所述光电二极管中生成的电压或电荷施加到所述栅极。
地址 韩国首尔