| 发明名称 | 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上；步骤3：将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入；步骤4：剥离模板；步骤5：退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101211760A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610169752.6 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 周慧英;曲胜春;王占国 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：把制备好的均匀有序的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上；步骤3：将带有阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入；步骤4：剥离模板；步骤5：退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||