| 发明名称 | 离子注入方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法包括：形成一掩模图案，以暴露半导体基板的区域。以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至半导体基板的暴露区域中。本发明可增加半导体器件的生产产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101211766A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710149946.4 | 申请日期 | 2007.10.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李民镛;郑镛洙 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;许向华 |
| 主权项 | 1.一种注入离子的方法，此方法包括：形成一掩模图案，用于暴露半导体基板的区域；及以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至该半导体基板的暴露区域中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||