发明名称 |
图像传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种图像传感器的制造方法,该方法包括以下步骤:在滤色层上形成第一SiO<SUB>2</SUB>层;在第一SiO<SUB>2</SUB>层上图案化感光层;通过第一蚀刻处理图案化第一SiO<SUB>2</SUB>层;在该第一SiO<SUB>2</SUB>层上形成第二SiO<SUB>2</SUB>层;以及通过蚀刻该第二SiO<SUB>2</SUB>层而形成微透镜。 |
申请公布号 |
CN101211827A |
申请公布日期 |
2008.07.02 |
申请号 |
CN200710300703.6 |
申请日期 |
2007.12.25 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
赵殷相 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/71(2006.01);H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
1.一种图像传感器的制造方法,该方法包括以下步骤:在滤色层上形成第一SiO2层;在该第一SiO2层上图案化一感光层;通过第一蚀刻处理图案化该第一SiO2层;在该第一SiO2层上形成第二SiO2层;以及通过第二蚀刻处理蚀刻该第二SiO2层,从而形成多个微透镜。 |
地址 |
韩国首尔 |