发明名称 | 半导体磁性传感器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种半导体磁性传感器。为了检测从外界施加的磁场的磁通量密度,本发明的半导体磁性传感器包括:晶体管(MP101),其形成在霍尔元件(100)一侧,该晶体管(MP101)用于驱动所述霍尔元件(100),并具有连接到形成在所述一侧的端子(C101)上的漏极;晶体管(MP102),其形成在霍尔元件(100)的所述一侧,该晶体管(MP102)具有连接到形成在所述一侧的端子(C102)上的漏极;晶体管(MN101),其形成在与霍尔元件(100)的所述一侧相对的另一侧上,该晶体管(MN101)具有连接到形成在所述另一侧的端子(C103)上的漏极;晶体管(MN102),其形成在所述另一侧,该晶体管(MN102)具有连接到形成在所述另一侧的端子(C104)上的漏极。 | ||
申请公布号 | CN101210957A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
申请号 | CN200710160542.5 | 申请日期 | 2007.12.25 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 挽地友生 |
分类号 | G01R33/07(2006.01) | 主分类号 | G01R33/07(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙海龙 |
主权项 | 1.一种半导体磁性传感器,其用于检测从外界施加的磁场的磁通量密度,该半导体磁性传感器包括:霍尔元件,其用于执行磁电转换,该霍尔元件以正方形或矩形形状形成;第一晶体管,其形成在所述霍尔元件的一侧,用于驱动所述霍尔元件,该第一晶体管具有连接到第一端子的漏极,并具有连接到电源端子的源极,所述第一端子形成在所述霍尔元件的所述一侧;第二晶体管,其形成在所述霍尔元件的所述一侧,用于驱动所述霍尔元件,该第二晶体管具有连接到第二端子的漏极,并具有连接到所述电源端子的源极,所述第二端子形成在所述霍尔元件的所述一侧;第三晶体管,其形成在所述霍尔元件的与所述一侧相对的另一侧,用于驱动所述霍尔元件,该第三晶体管具有连接到第三端子的漏极,并具有连接到接地端子的源极,所述第三端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧;第四晶体管,其形成在所述霍尔元件的所述另一侧,用于驱动所述霍尔元件,该第四晶体管具有连接到第四端子的漏极,并具有连接到所述接地端子的源极,所述第四端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧。 | ||
地址 | 日本千叶县 |