| 发明名称 | 用于从半导体晶片去除材料的方法及装置 | ||
| 摘要 | 在存在有半导体晶片的体积内保持压力，该压力足以保持非牛顿流体的前体流体为液态。该前体流体设置为临近将要从该半导体晶片上去除的材料，同时保持该前体流体为液态。降低存在有半导体晶片的该体积中的压力，从而使设置在该体积内晶片上的该前体流体转变为非牛顿流体。在转变为非牛顿流体过程中，前体流体的膨胀和该前体流体相对于该晶片的运动使产生的非牛顿流体从该半导体晶片上去除材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101213639A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200680024137.4 | 申请日期 | 2006.06.15 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 米哈伊拉·科罗利克;迈克尔·拉夫金;约翰·德拉里奥斯;弗里茨·C·雷德克;约翰·M·博伊德 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/64(2006.01);H01L21/70(2006.01);C03B33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种用于从半导体晶片去除材料的方法，包括：在存在有半导体晶片的体积内保持足够的压力，以保持非牛顿流体的前体流体为液态；在所述半导体晶片上设置所述前体流体，同时保持所述前体流体为液态，其中，所述前体流体被设置为临近将要从所述半导体晶片去除的材料；以及降低所述体积中的压力，以使所述前体流体转变为所述非牛顿流体，由此，在转变过程中所述前体流体的膨胀使所述非牛顿流体从所述半导体晶片去除所述材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||