CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器包括：外延层，形成在半导体衬底上方；栅电极，形成在外延层上方；栅极金属，形成在外延层的浮置扩散区上方；n+型源区和漏区，形成在外延层中；栅极间隔件，形成在栅电极和栅极金属的两侧壁上；绝缘夹层，形成在包括栅电极、栅极间隔件以及栅极金属层的外延层上方，绝缘夹层包括：第一接触孔，穿过绝缘夹层且暴露源区；第二接触孔，穿过绝缘夹层且暴露栅极金属；第一接触塞，形成在第一接触孔中并连接到源区；第二接触塞，形成在第二接触孔中并连接到栅极金属；以及金属线，形成在第一接触塞和第二接触塞上方，将源区电连接到栅极金属。本发明能够增加浮置扩散区(FD)的电容量。

主权项

1.一种装置，包括：外延层，形成在半导体衬底上方；器件隔离层，形成在所述外延层中，用以限定有源区和器件隔离区，所述有源区包括光电二极管区和晶体管区；栅极绝缘层，形成在所述晶体管区的所述外延层上方；栅电极，形成在包括所述栅极绝缘层的所述晶体管区的所述外延层上方；栅极间隔件，形成在所述栅电极和所述栅极绝缘层的两个侧壁上；n+型源区和漏区，形成在与所述栅极间隔件的两侧邻近的所述外延层中；至少一个n+型岛区，形成在与所述光电二极管区邻近的所述外延层中；绝缘夹层，形成在包括所述栅电极和所述栅极间隔件的所述栅电极上方；第一接触孔，穿过所述绝缘夹层，并且暴露所述源区；第二接触孔，穿过所述绝缘夹层，并且暴露所述至少一个n+型岛区；第一接触塞，形成在所述第一接触孔中，并且连接到所述源区；第二接触塞，形成在所述第二接触孔中，并且连接到所述至少一个n+型岛区；以及金属线，形成在所述第一接触塞和第二接触塞上方，以将所述源区电连接到所述至少一个n+型岛区。