| 发明名称 | 非挥发性存储器的写入方法 | ||
| 摘要 | 一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，包括：在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。本发明提供的非挥发性存储器的写入方法，提高了存储器的写入速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101211926A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610148249.2 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 钟灿;繆威权;陈良成;刘鉴常 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||