| 发明名称 | 高速大功率氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体器件及其制造方法，该氮化物半导体器件包括：衬底，能够在其上外延生长氮化物半导体层；半导体叠层，在衬底上形成并包括氮化物半导体的沟道层；源极和漏极，在半导体叠层上形成并与所述沟道层欧姆接触；绝缘层，在半导体叠层上形成具有开口、总厚度部分以及过渡部分，其开口位于栅极接触区上，总厚度部分在与开口相隔的区域中有着平坦表面和总厚度，过渡部分位于开口和总厚度部分之间，绝缘层面向开口的侧壁陡峭上升到总厚度的部分厚度；以及T形栅极，与半导体叠层在开口内接触，并且在绝缘膜上延伸到具有增加厚度的相对部分，该增加厚度比所述部分厚度更厚。本发明的半导体器件反方向漏电流最小，且难以发生介电击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN101211969A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710193993.9 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 多木俊裕 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L29/778(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体器件，包括：衬底，能够在其上外延生长氮化物半导体层；半导体叠层，在所述衬底上形成并包括氮化物半导体的沟道层；源极和漏极，在所述半导体叠层上形成并与所述沟道层欧姆接触；绝缘层，在所述半导体叠层上形成，并且具有开口、总厚度部分以及过渡部分，所述开口位于栅极接触区上，所述总厚度部分位于与所述开口相隔一定距离的区域中，且有着平坦表面和总厚度，以及所述过渡部分位于所述开口和所述总厚度部分之间，所述绝缘层的面向所述开口的侧壁陡峭上升到所述总厚度的部分厚度；以及T形栅极，与所述半导体叠层在所述开口内接触，并且在所述绝缘层上延伸到具有增加厚度的相对部分，该增加厚度比所述部分厚度更厚。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||