| 发明名称 | 化合物半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。 | ||
| 申请公布号 | CN100399511C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200510084283.3 | 申请日期 | 2001.11.26 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | F·勒泰特;B·吉斯朗 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种衬底的制造方法，所述方法是用于制造光学器件、电子器件或光电器件的衬底，该方法的特征在于它包括以下步骤：在粘合界面中通过分子粘合把籽晶层(2)迁移到支撑(12)上；在该籽晶层上外延地生长工作层(16)；将加强的支撑直接粘合在所述工作层(16)上；删除所述支撑(12)；该支撑(12)由热膨胀系数是工作层(16)的系数0.7到3倍的材料构成，而且籽晶层适合于调节支撑(12)和工作层(16)的热膨胀。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||