发明名称 一种ESD保护电路
摘要 本发明的一种ESD保护电路,它包括耗尽型MOS管、厚氧化层管和电荷泵。电荷泵与耗尽型的MOS管栅极连接,厚氧化层管和耗尽型MOS管的漏极与输入/输出焊盘连接,氧化层管和耗尽型MOS管的源极与衬底短接,耗尽型MOS管的源极与氧化层管的衬底短接。耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管,厚氧化层管为N型厚氧化层管,电荷泵为负电荷泵。N型厚氧化层管可采用长沟道管替代。IC芯片上电,通过电荷泵关闭耗尽型MOS管,不启动保护电路。IC芯片不上电,寄生于厚氧化层管的双极型晶体管通过耗尽型MOS管导通,降低保护电路的触发电压,解决ESD保护电路过电流均匀性问题。
申请公布号 CN101211909A 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200710172933.9 申请日期 2007.12.25
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 单毅
分类号 H01L27/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L23/522(2006.01);H02H9/00(2006.01) 主分类号 H01L27/02(2006.01)
代理机构 上海思微知识产权代理事务所 代理人 屈蘅
主权项 1.一种ESD保护电路,保护电路制作在提供的P型衬底上,用于IC芯片输入焊盘的保护电路,它包括第二级NMOS保护管,放电总线,电源总线,其特征在于,它还包括一耗尽型MOS管,一厚氧化层管和电荷泵;电荷泵电源由电源总线提供,与耗尽型MOS管的栅极连接,用于当芯片上电时,关闭耗尽型MOS管;所述耗尽型MOS管的漏极与厚氧化层管的漏极连接并与所述输入焊盘连接,所述耗尽型MOS管的源极同时与所述耗尽型MOS管的衬底和所述厚氧化层管的衬底短接后通过电阻与所述放电总线连接,所述厚氧化层管的栅极与所述厚氧化层管的源极和衬底短接后与所述放电总线连接;所述厚氧化层管的漏极通过电阻与所述第二级NMOS保护管的漏极连接,所述厚氧化层管的源极和所述第二级NMOS保护管的源极均与放电总线连接。
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