双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有自对准的突出的非本征基极硅化物和发射极触点边界的双极晶体管。与不包括自对准的硅化物和自对准的发射极触点边界的双极晶体管相比，本发明的双极晶体管呈现出减轻的寄生现象。本发明还涉及制造本发明的双极晶体管结构的方法。在本发明的方法中，块状发射极多晶硅区代替传统的T形发射极多晶硅。

主权项

1.一种双极晶体管，包含：包含本征基极区和周围突出的非本征基极区的基极区；位于所述本征基极区顶上且与之接触的块状多晶硅发射极区；位于所述突出的非本征基极区上的第一硅化物层，所述第一硅化物层具有与所述块状多晶硅发射极区的侧壁自对准的内边缘；位于所述块状多晶硅发射极区内的第二硅化物层，所述第二硅化物层的外边缘与所述第一硅化物层的内边缘自对准；以及位于所述突出的非本征基极区顶上的自对准发射极触点边界，所述自对准发射极触点边界的内边缘与所述块状多晶硅发射极区的侧壁自对准。