| 发明名称 | 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明大致涉及完全耗尽型SOI结构的掺杂方法，以及包含所形成掺杂区的半导体器件。在一个示例的实施例中，该器件包含在包括基体衬底(30A)、埋入氧化物层(30B)和有源层(30C)的绝缘层上硅衬底上形成的晶体管，该晶体管包含栅极电极(36)，并且在第一浓度标准下以一掺杂剂材料掺杂该基体衬底(30A)。该器件进一步包含在该基体衬底(30A)中形成的第一掺杂区(42A)，且以与该基体衬底掺杂剂材料相同类型的掺杂剂材料掺杂该第一掺杂区(42A)，其中该第一掺杂区(42A)中的掺杂剂材料的浓度标准高于该基体衬底(30A)中之第一掺杂剂浓度标准，且该第一掺杂区(42A)大致与该栅极电极(36)对准。 | ||
| 申请公布号 | CN100399582C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN02828545.X | 申请日期 | 2002.12.17 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·C·韦;D·J·瑞斯特;M·B·菲塞利耶 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种包含掺杂区的器件，包含：在包含基体衬底(30A)、埋入氧化物层(30B)和有源层(30C)的绝缘层上硅衬底之上形成的晶体管，该晶体管包含栅极电极(36)，且在第一浓度标准下以一掺杂剂材料掺杂该基体衬底(30A)；以及在该基体衬底(30A)中形成的第一掺杂区(42A)，该第一掺杂区(42A)包含与该基体衬底掺杂剂材料相同类型的掺杂剂材料，且该第一掺杂区(42A)具有比该第一浓度标准高的掺杂剂材料浓度标准，且该第一掺杂区与该栅极电极(36)对准，其特征在于：该器件进一步包含在该基体衬底(30A)中形成的第二(42B)及第三(42C)掺杂区，该第二(42B)及第三(42C)掺杂区包含与该基体衬底掺杂剂材料相同类型的一掺杂剂材料，且该第二(42B)及第三(42C)掺杂区具有比该第一浓度标准高的掺杂剂材料浓度标准，且该第一掺杂区(42A)垂直地与该第二(42B)及第三(42C)掺杂区间隔开。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||