| 发明名称 | 高压半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种能够防止衬底电流形成的高压半导体器件。制造高压半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成阱，在部分半导体衬底中形成器件隔离薄膜，在半导体衬底的表面下方形成一组漂移区，在半导体衬底的表面上形成栅极以与至少一个漂移区的部分相重叠，以及在形成于栅极对侧上的半导体衬底漂移区的表面下方形成源极和漏极区域。有利地，半导体器件的衬底电流将并提高了操作耐电压，改善了高压晶体管的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101211980A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710302157.X | 申请日期 | 2007.12.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金知泓;丁详勋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种高压半导体器件，其特征在于，包括：阱，其形成于半导体衬底的表面中；一组漂移区，其通过将离子注入并扩散入所述阱中而在所述半导体衬底的表面下面形成；源极区域和漏极区域，其通过将离子注入所述漂移区而在所述半导体衬底的所述表面下面形成；以及栅极，其形成于所述半导体衬底的表面上，从而与一个漂移区的部分相重叠。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||