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经营范围
发明名称
利用双重曝光技术以在半导体元件中形成图案的方法
摘要
一种用于在一个半导体元件中形成一个图案的方法系包含利用一个线宽/间距光罩来在一个半导体基板之上执行一个用于一多功能的硬式光罩层的双重曝光制程,以形成一个具有一第一接触孔洞区域的多功能的硬式光罩层图案。该多功能的硬式光罩层图案系受到一个阻剂流动制程,以形成一个具有圆边的第二接触孔洞区域的多功能的硬式光罩层图案,其中该第二接触孔洞区域的尺寸系小于该第一接触孔洞区域的尺寸。
申请公布号
TW200828409
申请公布日期
2008.07.01
申请号
TW096124662
申请日期
2007.07.06
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金瑞玟
分类号
H01L21/027(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
韩国
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