发明名称 多波长半导体雷射阵列及其制作方法
摘要 一种多波长半导体雷射阵列及其制造方法,利用具有不同发光波长的量子点主动区堆叠结构之雷射共振器,并配合制程方式改变各雷射共振器或上电极层的长度以造成不同的雷射振荡条件,以使各雷射共振器于特定的量子点主动区中产生单一波长雷射,进而获致可发出多种雷射波长之多波长半导体雷射阵列。
申请公布号 TW200828707 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW095148051 申请日期 2006.12.20
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 林国瑞;纪东炜;林坤锋;赖志铭
分类号 H01S5/34(2006.01) 主分类号 H01S5/34(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号