| 摘要 |
一种互补式金氧半导体(CMOS)装置及其制造方法,包含以下步骤:依次形成一第一氧化矽膜与一第一多晶矽膜于一下基板上;对第一多晶矽膜执行离子注入制程,以形成复数个以预定间隔互相分开之下导体;形成复数个以预定间隔互相分开之N型半导体膜与P型半导体膜,并且与复数个下导体接触;形成复数个电性连接至N型半导体膜与P型半导体膜之上导体;形成一上基板于上导体上方;形成一第二多晶矽膜于上基板上方;形成一装置隔离膜与一光电二极体于第二多晶矽膜中;形成一包含绝缘侧壁之闸极于第二多晶矽膜上方;形成一绝缘膜于具有闸极之外延层上方;形成一彩色滤光阵列于绝缘膜上方;形成一平整层于彩色滤光阵列上方;以及形成一显微透镜于平整层上方。 |
