发明名称 制造薄膜电晶体基板之方法
摘要 一种用来制造一薄膜电晶体(TFT)基板的方法包括形成一闸极绝缘膜及一活性层在一基板上,形成一包括一第一,第二及第三金属层的数据金属层在该活性层上,形成一第一光阻图案在该数据金属层上,藉由使用该第一光阻图案乾式蚀刻该第三金属层,藉由使用该第一光阻图案,同时地乾式蚀刻该第二及第一金属层,藉由使用该第一光阻图案乾式蚀刻该活性层,藉由该沟槽区域被移除来蚀刻该第一光阻图案以形成一第二光阻图案,且藉由使用该第二光阻图案乾式蚀刻该数据金属层的该沟槽区域,形成一源极及一汲极。
申请公布号 TW200828505 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096138226 申请日期 2007.10.12
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李德重;宋大昊;金京燮;李庸懿
分类号 H01L21/8234(2006.01) 主分类号 H01L21/8234(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 韩国