制造具有闸极堆叠结构之半导体元件之方法

摘要

一种制造半导体元件之方法,包含:于基板上方形成第一导电层;于该第一导电层上方形成中间结构,该中间结构系成堆叠结构,包含至少第一金属层与含氮金属矽化物层;及于该中间结构上方形成第二导电层。