高压装置之离子布値方法

摘要

一种高压装置之离子布値方法,此布値方法包含以下步骤:定义一逻辑区及一高压区于一半导体基板中,形成一第一闸极绝缘层于逻辑区中之半导体基板上且形成一第二闸极绝缘层于高压区中之半导体基板上,第二闸极绝缘层较之第一闸极绝缘层为厚,透过将第一导电杂质植入于半导体基板之逻辑区及源极区在逻辑区中形成一中空区且在高压区中形成一源极区,以及透过将第二导电杂质植入于半导体基板之逻辑区中在逻辑区中形成一第二导电杂质层。