发明名称 二次侧驱动型半桥式电源供应装置
摘要 本创作提供一种二次侧驱动型半桥式电源供应装置,其系先提供一半桥式变压器,而在其一次侧连接一金氧半场效电晶体单元,而其二次侧连接一输出整流滤波电路。在本创作中,可使一位于其二次侧的脉波宽度调变控制器产生一控制信号,将其传送于隔离元件,藉由该信号来驱动金氧半场效电晶体单元,而该金氧半场效电晶体单元进而驱动半桥式变压器,最后半桥式变压器所提供的电压在输出整流滤波电路的控制下,可提供各种电压至外部负载。该电源供应装置不仅可以节省电功率,还可以提高其切换频率,达成高效率低成本目的。
申请公布号 TWM335872 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096221536 申请日期 2007.12.18
申请人 首利实业股份有限公司 发明人 陈长兴
分类号 H02M1/08(2006.01) 主分类号 H02M1/08(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种二次侧驱动型半桥式电源供应装置,包括: 一半桥式变压器,其系具有一次测与二次测; 一金氧半场效电晶体单元,其系连接于该半桥式变 压器,并位于该一次侧,用来驱动该半桥式变压器; 一脉波宽度调变控制器,其系连接于该二次侧,并 产生一控制信号; 一隔离元件,其系隔离该一次侧与该二次侧,且连 接该脉波宽度调变控制器与该金氧半场效电晶体 单元,并接收该控制信号以驱动该金氧半场效电晶 体单元;以及 一输出整流滤波电路,其系连接该半桥式变压器, 并位于该二次侧,用来输出各种电压至外部负载。 2.如申请专利范围第1项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,更包含一图腾埠放大电路,其系 在该隔离元件接收该控制信号之前,放大该控制信 号。 3.如申请专利范围第2项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,其中该图腾埠放大电路以及该脉 波宽度调变控制器更可整合在同一晶片中。 4.如申请专利范围第1项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,其中该脉波宽度调变控制器更包 含一保护电路以及一讯息时序控制电路。 5.如申请专利范围第1项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,其中该金氧半场效电晶体单元至 少包含二金氧半场效电晶体。 6.如申请专利范围第5项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,若该金氧半场效电晶体单元为金 氧半场效电晶体时,则可由一P通道场效电晶体与 一N通道场效电晶体或二P通道场效电晶体或二N通 道场效电晶体所组成。 7.如申请专利范围第1项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,其中该金氧半场效电晶体单元负 责一正半周驱动或一负半周驱动。 8.如申请专利范围第1项所述之二次侧驱动型半桥 式电源供应装置,其中该隔离元件可将低电压转成 高电压以驱动该金氧半场效电晶体单元。 图式简单说明: 第1图为习知技术之驱动电路示意图。 第2图为本创作之装置电路示意图。 第3图为本创作之驱动电路示意图。 第4图系为本创作之另一驱动电路示意图。 第5图系为本创作之半桥式电源电路示意图。 第6图系为本创作之半桥式电源电路结合驱动电路 示意图。 第7图系为本创作应用在切换式电源供应器之电路 示意图。
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