| 主权项 |
1.一种电子光学显示装置,包括主动矩阵基板,该主 动矩阵基板具有复数个显示画素,各个显示画素分 别具有绝缘性基板和在上述绝缘性基板上配置成 矩阵状且和薄膜电晶体作电性连接的画素电极, 上述主动矩阵基板具有: 无机绝缘膜,包含上述薄膜电晶体之汲极电极区域 且覆盖上述绝缘性基板整个区域; 有机树脂绝缘膜,覆盖上述无机绝缘膜整个区域; 画素汲极接触孔,贯通上述无机绝缘膜及上述有机 树脂绝缘膜且通至上述汲极电极;及 接触导电膜,配设于上述画素汲极接触孔之底部且 和上述汲极电极接触; 上述画素电极以覆盖上述有机树脂绝缘膜区域且 覆盖上述画素汲极接触孔之内壁及上述接触导电 膜区域的方式来配设。 2.如申请专利范围第1项之电子光学显示装置,其中 ,上述画素汲极接触孔连通用来贯通上述无机绝缘 膜之第一接触孔和用来贯通上述有机树脂绝缘膜 之第二接触孔而构成,上述第二接触孔之开口尺寸 比上述第一接触孔之开口尺寸大,上述画素汲极接 触孔之底部相当于上述第二接触孔之底部,上述接 触导电膜的配设方式为,埋入上述第一接触孔并覆 盖从上述第一接触孔之底部露出的上述无机绝缘 膜区域。 3.如申请专利范围第2项之电子光学显示装置,其中 ,上述第二接触孔之开口端尺寸大于其底部尺寸, 在内壁缓缓倾斜,将剖面形状加工成研钵状。 4.如申请专利范围第1项之电子光学显示装置,其中 ,上述接触导电膜包含从Cr(铬)、Mo(钼)、Ti(钛)及W( 钨)中选出的金属膜。 5.一种电子光学显示装置之制造方法,该电子光学 显示装置包括主动矩阵基板,该主动矩阵基板具有 复数个显示画素,各个显示画素分别具有绝缘性基 板和在上述绝缘性基板上配置成矩阵状且和薄膜 电晶体作电性连接的画素电极,包括: 制程(a),形成无机绝缘膜,其包含上述薄膜电晶体 之汲极电极区域且覆盖上述绝缘膜基板整个区域; 制程(b),形成有机树脂绝缘膜,其覆盖上述无机绝 缘膜整个区域; 制程(c),形成第二开口部,其在与上述汲极电极区 域对应之上述有机树脂绝缘膜的部分,针对贯通上 述有机树脂绝缘膜且通至上述无机绝缘膜之第一 开口部,以大于上述第一开口部之开口尺寸,设置 为同心状; 制程(d),形成第一接触孔,其将上述第一开口部作 为光罩,对上述无机绝缘膜进行蚀刻,以贯通上述 无机绝缘膜; 制程(e),形成画素汲极接触孔,其藉由使用氧气的 灰化法,将上述有机树脂绝缘膜全面薄膜化,并且, 使上述第二开口部之开口端尺寸大于其底部尺寸, 在内壁缓缓倾斜,将剖面形状加工成研钵状,形成 贯通上述有机树脂绝缘膜的第二接触孔,再形成上 述第一及第二接触孔连通后的画素汲极接触孔; 制程(f),埋入上述第二接触孔的底部的上述第一接 触孔,并且,形成接触导电膜,其覆盖从上述第二接 触孔的底部露出的上述无机绝缘膜区域;及 制程(g),覆盖上述有机树脂绝缘膜,并且,以覆盖上 述画素汲极接触孔的内壁及上述接触导电膜区域 的方式,形成上述画素电极。 6.如申请专利范围第5项之电子光学显示装置之制 造方法,其中,上述制程(b)包含使用感光树脂形成 上述有机树脂绝缘膜的制程,上述制程(c)包含形成 第一曝光区域的制程和形成第二曝光区域的制程, 形成第一曝光区域的制程藉由第一曝光,使与上述 有机树脂绝缘膜之上述第一开口部对应的部分感 光至上述无机绝缘膜,形成第二曝光区域的制程藉 由第二曝光,使与上述有机树脂绝缘膜之上述第一 开口部对应的部分感光至既定深度,上述第二曝光 包含曝光强度为上述第一曝光之曝光强度之20~40% 的半曝光。 图式简单说明: 第1图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 构造的平面图。 第2图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 构造的剖面图。 第3图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第4图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第5图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第6图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第7图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第8图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第9图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板的 制程的剖面图。 第10图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的剖面图。 第11图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的剖面图。 第12图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的剖面图。 第13图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的平面图。 第14图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的平面图。 第15图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的平面图。 第16图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的平面图。 第17图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的平面图。 第18图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的变形例的剖面图。 第19图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的制程的变形例的剖面图。 第20图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的变形例的平面图。 第21图为表示本发明实施型态之TFT主动矩阵基板 的变形例的平面图。 |
