| 主权项 |
1.一种用来侦测一晶片上一缺陷(defect)的方法,其 包含有: 利用复数个扫描型样(scan pattern)来扫描该晶片上 复数个扫描串链(scan chain); 对于每一个扫描型样,取得至少一嫌疑节点集合( suspected defectset)或一安全节点集合(unsuspected defect set); 取得所有非空集合(non-null)之嫌疑节点集合的一交 集,其中非空集合之嫌疑节点集合系为至少包含有 一嫌疑节点之嫌疑节点集合; 取得对应该复数个扫描型样之所有安全节点集合 之一联集; 将该交集减去该联集,以取得一结果嫌疑节点集合 ;以及 根据该结果嫌疑节点集合,以侦测该晶片上之该缺 陷。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中每个嫌疑 节点集合系为一空集合或包含有对应所有扫描串 链之嫌疑节点,以及每个安全节点集合系为一空集 合或包含有对应所有扫描串链之安全节点。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中侦测该晶 片之该缺陷另包含有: 若该结果嫌疑集合仅包含一嫌疑节点,则将该嫌疑 节点决定为该晶片之该缺陷。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中每个嫌疑 节点集合系为一空集合或包含有对应所有扫描串 链中一特定扫描串链之嫌疑节点,以及每个安全节 点集合系为一空集合或包含有对应所有扫描串链 之安全节点。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中侦测该晶 片之该缺陷另包含有: 若该结果嫌疑集合仅包含一嫌疑节点,则将该嫌疑 节点决定为该晶片之该缺陷。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中每个嫌疑 节点集合系为一空集合或包含有对应一特定扫描 串链中一子扫描串链(sub-chain)之嫌疑节点,以及每 个安全节点集合系为一空集合或包含有对应所有 扫描串链之安全节点。 7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中侦测该晶 片之该缺陷另包含有: 若该结果嫌疑集合仅包含一嫌疑节点,则将该嫌疑 节点决定为该晶片之该缺陷。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中每个扫描 串链皆包含有复数个正反器(flip-flop),以及该方法 另包含有: 根据该特定扫描串链中,对应嫌疑缺陷之复数个正 反器的分布情况,来决定该特定扫描串链之该子扫 描串链。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其另包含有: 藉由执行缺陷模拟(fault simulation),以产生一缺陷字 典(fault dictionary); 将该缺陷字典加以压缩,以产生一压缩后缺陷字典 ; 并且取得该嫌疑节点集合与该安全节点集合之步 骤包含有: 查阅该压缩后缺陷字典,以取得该嫌疑节点集合与 该安全节点集合。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中每个扫 描串链皆包含有复数个正反器,该缺陷字典包含有 复数笔资料(entry),每一笔资料纪录有一正反器名 称,以及压缩该缺陷字典之方法包含有: 聚集对应一特定正反器名称的复数笔特定资料;以 及 于该复数笔特定资料中,至少将一重复的正反器名 称删除。 11.一种用来侦测一晶片上一缺陷(defect)的方法,其 包含有: 使用复数个扫描型样,来扫描该晶片上复数个扫描 串链,其中每一个扫描串链皆包含有复数个正反器 ; 对于每一个扫描型样,取得至少对应一特定正反器 之一嫌疑节点集合(suspected defect set)或对应所有扫 描串链之一安全节点集合(unsuspected defect set); 取得对应该特定正反器之所有嫌疑节点集合的一 第一联集; 取得对应该复数个扫描型样之所有安全节点集合 之一第二联集; 将该第一联集减去该第二联集,以取得一结果嫌疑 节点集合;以及 根据该结果嫌疑节点集合,来侦测该晶片之该缺陷 。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中侦测该 晶片之该缺陷之步骤另包含有: 若该结果嫌疑节点集合仅包含有一嫌疑节点,则将 该嫌疑节点决定为该晶片之该缺陷。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中侦测该 晶片之该缺陷之步骤另包含有: 若该结果嫌疑节点集合包含有复数个嫌疑节点,则 从该复数个嫌疑节点之中选择一特定嫌疑节点作 为该晶片之缺陷; 其中在该复数个嫌疑节点之中,该特定嫌疑节点系 为被最多扫描型样侦测到之嫌疑节点。 14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中侦测该 晶片之该缺陷之步骤另包含有: 若该结果嫌疑节点集合包含有复数个嫌疑节点,则 从该复数个嫌疑节点之中选择一特定嫌疑节点作 为该晶片之缺陷; 其中在该复数个嫌疑节点之中,该特定嫌疑节点系 为影响最多正反器之扫描嫌疑节点。 15.如申请专利范围第11项所述之方法,其另包含有: 藉由执行缺陷模拟(fault simulatiOn),以产生一缺陷字 典(fault dictionary); 将该缺陷字典加以压缩,以产生一压缩后缺陷字典 ; 并且取得该嫌疑节点集合与该安全节点集合之步 骤包含有: 查阅该压缩后缺陷字典,以取得该嫌疑节点集合与 该安全节点集合。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中每个扫 描串链皆包含有复数个正反器,该缺陷字典包含有 复数笔资料(entry),每一笔资料纪录有一正反器名 称,以及压缩该缺陷字典之方法包含有: 聚集对应一特定正反器名称的复数笔特定资料;以 及 于该复数笔特定资料中,至少将一重复的正反器名 称删除。 17.一种用来侦测一晶片上一缺陷(defect)的方法,其 包含有: 利用复数个扫描型样,来扫描该晶片上之复数个扫 描串链; 藉由执行缺陷模拟(fault simulation),以产生一缺陷字 典(fault dictionary),该缺陷字典包含有复数笔资料( entry),每一笔资料包含有一正反器名称; 聚集对应一特定正反器名称的复数个特定项目并 且于该复数个特定项目中,至少将一重复的正反器 名称删除,以压缩该缺陷字典,来产生一压缩后缺 陷字典; 查阅该压缩后缺陷字典,以取得一嫌疑节点集合与 一安全节点集合;以及 分析该嫌疑节点集合与该安全节点集合,以决定该 晶片之该缺陷。 图式简单说明: 第1图为本发明用来测试晶片的缺陷诊断之流程图 。 第2图为第1图之步骤110中分析嫌疑节点与安全节 点的方法流程图。 第3图系用来说明单一死接缺陷假设的分析方法。 第4图系用来说明单一扫描串链仅包含有单一缺陷 假设下的分析方法。 第5图说明了如何将一缺陷字典加以压缩。 |
