| 主权项 |
1.一种形成溅镀层的方法,包括: 提供一反应室; 将一基底置于该反应室中一溅镀标靶之前端; 将一加热器置于该溅镀标靶之后端;以及 调整该溅镀标靶与该加热器的一分隔距离,以最佳 化从该溅镀标靶溅镀至该基底之溅镀层的均匀度 。 2.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该溅镀标靶与该加热器的该分隔距离系根据 该溅镀标靶的一使用寿命所先决定的一关系变因 所调整,以使该溅镀层的均匀度最佳化。 3.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该溅镀层系择自下列族群,包括导电层、半导 体层与介电层。 4.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该反应室的压力为1-100 mtorr。 5.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该基底系择自下列族群,包括积体电路基底、 陶瓷基底与光电基底。 6.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该溅镀标靶包括一金属系择自下列族群,包括 钨、钛、镍与钴。 7.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该溅镀标靶包括钴。 8.如申请专利范围第1项所述之形成溅镀层的方法, 其中该分隔距离符合下列公式: 分隔距离=A[1-(1.5510-3靶材的使用寿命)],其中A为 一常数。 9.一种形成溅镀层的方法,包括: 提供一反应室; 将一基底置于该反应室中且相对于一溅镀标靶;以 及 溅镀该溅镀标靶以在该基底上形成一溅镀层,同时 调整一溅镀功率,该调整系根据该溅镀标靶的预测 使用寿命所先决定的一关系变因所调整,以最佳化 该溅镀层的均匀度。 10.如申请专利范围第9项所述之形成溅镀层的方法 ,其中该反应室的压力为1-100 mtorr。 11.如申请专利范围第9项所述之形成溅镀层的方法 ,其中该基底系择自下列族群,包括积体电路基底 、陶瓷基底与光电基底。 12.如申请专利范围第9项所述之形成溅镀层的方法 ,其中该溅镀标靶包括一金属系择自下列族群,包 括钨、钛、镍与钴。 13.一种形成溅镀层的方法,包括: 提供一反应室; 将一基底置于该反应室中且相对于一溅镀标靶;以 及 溅镀该溅镀标靶以在该基底上形成一导电层,同时 调整一沈积时间,该调整系根据该溅镀标靶的预测 使用寿命所先决定的一关系变因所调整,以最佳化 该微电子层的均匀度。 14.如申请专利范围第13项所述之形成溅镀层的方 法,其中该反应室的压力为1-100 mtorr。 15.如申请专利范围第13项所述之形成溅镀层的方 法,其中该基底系择自下列族群,包括积体电路基 底、陶瓷基底与光电基底。 16.如申请专利范围第13项所述之形成溅镀层的方 法,其中该溅镀标靶包括一金属系择自下列族群, 包括钨、钛、镍与钴。 17.一种形成溅镀层的方法,包括: 提供一反应室; 将一基底置于该反应室中且相对于一溅镀标靶;以 及 溅镀该溅镀标靶以在该基底上形成一导电层,同时 调整一溅镀气流,该调整系根据该溅镀标靶的预测 使用寿命所先决定的一关系变因所调整,以最佳化 该微电子层的均匀度。 18.如申请专利范围第17项所述之形成溅镀层的方 法,其中该反应室的压力为1-100 mtorr。 19.如申请专利范围第17项所述之形成溅镀层的方 法,其中该基底系择自下列族群,包括积体电路基 底、陶瓷基底与光电基底。 20.如申请专利范围第17项所述之形成溅镀层的方 法,其中该溅镀标靶包括一金属系择自下列族群, 包括钨、钛、镍与钴。 图式简单说明: 第1图为本发明一较佳实施例之反应器示意图。 第2图为本发明一较佳实施例之钴标靶的均匀度百 分比对标靶使用寿命的关系图。 第3图为本发明一较佳实施例之钴标靶的间隔距离 对标靶使用寿命的关系图。 |
