| 摘要 |
本发明涉及一种高密度互连电路板二阶盲孔之制作方法,其包括以下步骤:提供一电路板,其至少一侧面上布设有一线路;于该线路表面形成第一背胶铜箔;于该第一背胶铜箔之铜箔层中形成复数个第一铜窗;于形成有第一铜窗之第一背胶铜箔表面形成一第二背胶铜箔;利用雷射于该第二背胶铜箔之铜箔层中开设与第一铜窗对应之复数个第二铜窗;利用雷射从第二铜窗处去除第一、第二背胶铜箔之胶层,从而形成复数个二阶盲孔。本发明之制作方法中,第二铜窗采用雷射开设,如此可降低第二铜窗与第一铜窗之对位误差,从而实现所得二阶盲孔之准确对位。 |
| 主权项 |
1.一种高密度互连电路板二阶盲孔之制作方法,其 包括以下步骤: 提供一电路板,其至少一侧面上形成有一线路; 于该线路表面形成一第一背胶铜箔; 于该第一背胶铜箔之铜箔层中上形成复数个第一 铜窗; 于形成有第一铜窗之第一背胶铜箔表面形成一第 二背胶铜箔; 利用Nd:YAG雷射于该第二背胶铜箔之铜箔层中形成 与第一铜窗对应之复数个第二铜窗; 利用雷射从第二铜窗处去除第一、第二背胶铜箔 之胶层,从而得到复数个二阶盲孔。 2.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,所提供之线路板为单 层线路板、双层线路板或多层线路板。 3.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,利用化学蚀刻法形成 第一铜窗。 4.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,利用紫外雷射法形成 第一铜窗。 5.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,该Nd:YAG雷射之波长为 266奈米。 6.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,该Nd:YAG雷射之波长为 355奈米。 7.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,利用红外雷射法去除 第一、第二背胶铜箔之胶层。 8.如申请专利范围第7项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,所述红外雷射源为脉 冲式二氧化碳雷射。 9.如申请专利范围第8项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,所述脉冲式二氧化碳 雷射的波长在9400奈米~10600奈米范围内。 10.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,进一步于所得之二阶 盲孔内壁形成铜层。 11.如申请专利范围第10项所述之高密度互连电路 板二阶盲孔之制作方法,其中,利用电镀法在二阶 盲孔内壁形成铜层。 12.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,该第一背胶铜箔为覆 树脂铜箔或铜箔加胶片增层。 13.如申请专利范围第1项所述之高密度互连电路板 二阶盲孔之制作方法,其中,该第二背胶铜箔为覆 树脂铜箔或铜箔加胶片增层。 图式简单说明: 图1系本实施例制作二阶盲孔制程中所提供之双面 板示意图。 图2系于双面板两侧线路表面形成第一背胶铜箔之 示意图。 图3系于第一背胶铜箔之铜箔层中开设第一铜窗之 示意图。 图4系于第一背胶铜箔表面形成第二背胶铜箔之示 意图。 图5系于第二背胶铜箔之铜箔层中开设第二铜窗之 示意图。 图6系从第一、第二铜窗处去除第一、第二背胶铜 箔上之胶层而得到之二阶盲孔之示意图。 图7系于二阶盲孔内壁镀铜后之镀铜二阶盲孔示意 图。 |
