| 摘要 |
一种形成矽化物接触件的方法,包括将一层形成于含矽的主动装置区域上,譬如源极、汲极与闸极区域。该层包含能够形成一种或者更多种金属矽化物的金属,以及可溶于第一金属矽化物而不可溶于第二金属矽化物、或者较易溶于第一金属矽化物而较不易溶于第二金属矽化物的物质。该层可经由蒸汽沈积方法而形成,譬如物理蒸汽沈积、化学蒸汽沈积、蒸发、雷射烧蚀或者其它沈积方法。一种形成矽化物接触件的方法,包括形成一金属层,随后将譬如上述的物质植入于该金属层及/或下方矽层。该物质可在该金属层形成以前植入于矽层中。所形成的接触件包括第一金属矽化物以及较易溶于第一金属矽化物而较不易溶于第二金属矽化物的物质。该接触件可能是包括基板、含矽的主动区域、以及配置于主动区域上的矽化物接触件的半导体装置之部份,该矽化物接触件能将该主动区域电性耦合到譬如金属线的其它区域。 |
| 主权项 |
1.一种半导体制造方法,包含以下步骤: 在一半导体基板上形成第一区域,该第一区域包含 矽; 在该第一区域上形成一层,该层包含金属,该金属 能够形成包含第一矽化物与第二矽化物的多个金 属矽化物; 将一物质植入于该层内,其中,该物质较可溶于该 第一矽化物而非该第二矽化物;以及 藉由矽与该金属的反应,形成配置于该第一区域上 的该第一矽化物。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属包含镍 ,该第一矽化物包含NiSi,而且该第二矽化物包含NiSi 2。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属包含镍 。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该物质包括从 由锗、钛、铼、钽、氮、钒、铱、铬与锆组成的 族群中选出的元素。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成该第一 矽化物之步骤包含提高该半导体基板的温度。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一矽化物 包含一接触件,该接触件用以提供与该第一区域的 电性接触。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一矽化物 是自我对准矽化物。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该物质小于该 层的大约15个原子百分比。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该物质在该层 的大约5个原子百分比与大约10个原子百分比之间 。 图式简单说明: 第1图显示根据本发明一具体实施例,经历形成矽 化物接触区域之制程的晶圆的截面图,制程包括植 入一物质以不利于一矽化物的形成以及促进一不 同矽化物的形成; 第2A图与第2B图显示两组件的系统,其中Gibbs自由能 则由于与混合熵相等的数量而不同;以及 第3图显示根据本发明一具体实施例,经历形成矽 化物接触区域之制程的晶圆的截面图,包括形成包 括金属与附加物质的层,以不利于一矽化物的形成 以及促进不同矽化物的形成。 |
