发明名称 薄膜图案形成方法及半导体装置之制造方法
摘要 一种形成光阻图案的方法,包括:藉由使用光微蚀刻,于目标薄膜上形成一光阻光罩;藉由镀膜,于光阻光罩上形成一混合衍生光阻薄膜;烘烤混合衍生光阻薄膜,以致于光阻光罩与混合衍生光阻薄膜之间的介面处形成一混合层;对混合衍生光阻薄膜显影;以及清洗最终的混合衍生光阻薄膜,以便暴露混合层,并缩小光阻光罩的图案尺寸。
申请公布号 TW200827945 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW096145338 申请日期 2007.11.29
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 斋藤洋介;田中勋
分类号 G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/26(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本