储存元件以及记忆体

摘要

本发明揭示一种储存元件,其具有:一储存层,其基于一磁性材料之一磁化状态来保持资讯;一固定磁化层,其具有一铁磁层;及一中间层,其系内插于该储存层与该固定磁化层之间。在该储存元件中,自旋偏极电子系在一堆叠方向上注入来改变该储存层之一磁化方向,使得将资讯记录于该储存层内,且形成该储存层之该铁磁层之电阻率系810^-7 m或更多。