| 摘要 |
本发明之碳化矽半导体装置之制造方法包括以下步骤:对包含第1导电型碳化矽结晶基板(1)、第1导电型碳化矽结晶层(2)、第2导电型碳化矽结晶层(3)及第1导电型半导体区域(5)之半导体积层基板(4),贯穿第1导电型半导体区域(5)及第2导电型碳化矽结晶层(3),形成以第1导电型碳化矽结晶层(2)为底面(7b)之槽(7);于槽(7)之至少一部分形成矽膜(14);将形成有矽膜(14)之半导体积层基板(4)加热至矽膜(14)之熔融温度以上;去除加热后之矽膜(14);于去除矽膜(14)后之露出面上形成闸极绝缘膜;及于闸极绝缘膜表面上形成闸极电极层。 |
