非挥发性记忆元件及其自我补偿方法

摘要

一种非挥发性记忆元件,包括:记忆胞元阵列,包括至少一个区块,区块具有复数个记忆胞元及至少一个参考胞元;X解码器及Y解码器,用以根据输入位址而选择操作的记忆胞元;分页缓冲器,用以程式化资料至该X解码器及该Y解码器所选择的记忆胞元、或是用以读取被程式化资料;及控制器,用以控制该记忆胞元阵列、该X解码器、该Y解码器及该分页缓冲器,以计算该等胞元的临界电压之变化,并基于该参考胞元的临界电压中的变化而补偿记忆胞元的已改变临界电压。