具导电凸块之半导体装置及其制法

摘要

一种具导电凸块之半导体装置及其制法,主要系提供一表面设有焊垫及保护层之半导体基材,该焊垫系外露出该保护层,以于该焊垫上形成第一金属层,且使该第一金属层覆盖住该焊垫及其周围之部分保护层,接着于该保护层及第一金属层上覆盖第二覆盖层,且使该第二覆盖层形成有外露出部分第一金属层之开孔,其中该开孔中心系偏移该焊垫中心一段距离,以于该开孔中之第一金属层上形成金属柱及于该金属柱表面形成焊锡材料,俾可令该金属柱及焊锡材料偏移该焊垫中心一段距离,而得同时接载于该第一金属层及具较大承载面积之保护层及覆盖层上,进而提供较佳之缓冲效果,以避免知形成于焊垫上之焊块底部金属层因直接承受金属柱所传递之应力作用而发生脱层问题。